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PSMN1R0-25YLDX

功能描述：PSMN1R0-25YLD/LFPAK/REEL 7 Q1

制造商：nexperia usa inc.

系列：-

包装：剪切带（CT）

零件状态：在售

FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：25V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：100A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2.2V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）：71.8nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：5308pF @ 12V

FET 功能：肖特基二极管（体）

功率耗散（最大值）：160W（Tc）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：0.89 毫欧 @ 25A， 10V

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：LFPAK56，Power-SO8

封装/外壳：SC-100，SOT-669

标准包装：1

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